sic生产过程（sis生产工艺）-义乌市趣迅电子商务商行

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氮化硅陶瓷制品的生产方法有两种，即反应烧结法和热压烧结法。反应烧结法是将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生产方法成型。

PECVD）：PECVD法是一种常用的氮化硅薄膜制备技术。它使用氨气和硅源气体在等离子体激发下反应生成氮化硅薄膜。这种方法制备的氮化硅薄膜工艺简单、易于控制，成本较低，但是薄膜质量和硬度不如磁控溅射法制备的氮化硅薄膜。

SiCl 4 水解可以看做Si结合四个OH －生成H 4 SiO 4 ，H 4 SiO 4 不稳定失水生成H 2 SiO 3 ，Cl －结合H ＋生成HCl。氮化硅的化学式可通过题目信息，运用质量守恒求得。

多晶硅生产工艺流程如下：石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO_+C→Si+CO_↑。为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。

多晶硅的生产需要用到高纯度的石英矿，因此首先需要对石英矿进行开采和精炼。石英矿开采一般分为露天开采和地下开采两种方式。开采完成后，需要对石英矿进行精炼，主要包括磨浆、浮选、干燥等步骤。

（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。

多晶硅生产工艺流程如下：石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO_+C→Si+CO_↑。为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。

制造太阳能电池片的过程中需要进行光刻、腐蚀、沉积等步骤，以制备出具有良好光电转换性能的太阳能电池片。最后，将太阳能电池片组装成太阳能电池板，即可用于太阳能发电。

净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。

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