本篇目录:
- 1、怎样制取纯硅?
- 2、可以生成硅单质方程式
- 3、如何制备单质硅,反应方程式
- 4、如何用二氧化硅制备单晶硅?
- 5、怎样制得硅单质
- 6、工业制取单质硅的方法
怎样制取纯硅?
工业制硅化学方程式:2C+SiO2==高温==2CO+Si(得到粗硅)Si+2Cl2==SiCl4 2H2+SiCl4==高温==Si+4HCl(得到精硅)硅的物理性质:有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。
第二种:将细砂粉(SIO2)与镁粉混和,制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和硅化镁,可用盐酸除去。
高纯硅的制备化学方程式:SiO2+C=Si+2CO,Si+2Cl2=SiCl4,SiCl4+2H2=Si+4HCl,反应条件都是:高温。高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。
步骤:用焦炭与石英砂(SiO2)混合高温,产生粗硅。(SiO2+2C=高温=Si+2CO↑)将粗硅与氯气高温,生成四氯化硅。(Si+2Cl2=高温=SiCl4)将氢气与四氯化硅高温,生成单晶硅。
粗硅的制取是用沙子和碳在高温下反应生成粗硅和一氧化碳。高纯硅的制备是利用粗硅和金属镁反应得到硅化镁,再让硅化镁和盐酸反应得到氯化镁和气体硅烷,在加热气体硅烷即可得到高纯硅。
高纯硅的制备:硅按不同的纯度可以分为冶金级硅(MG)、太阳能级硅(SG)和电子级硅(EG)。
可以生成硅单质方程式
第一种。SiO2 + 2C = Si + 2CO↑ Si + 2Cl2 = SiCl4 SiCl4 + 2H2 = Si +HCl 条件都是高温 第二种.将细砂粉(SIO2)与镁粉混和,制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和 硅化镁 ,可用盐酸除去。
高纯硅的制备化学方程式:SiO2+C=Si+2CO,Si+2Cl2=SiCl4,SiCl4+2H2=Si+4HCl,反应条件都是:高温。高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。
CO2),同时得到纯净的硅(Si)。化学方程式如下所示:SiO2 + 2C → Si + 2CO2 根据这个方程式,一摩尔的二氧化硅与两摩尔的碳反应,生成一摩尔的硅和两摩尔的二氧化碳。此方程式描述了工业制备硅的基本化学反应过程。
用焦炭与石英砂(SiO2)混合高温,产生粗硅。(SiO2+2C=高温=Si+2CO↑)将粗硅与氯气高温,生成四氯化硅。(Si+2Cl2=高温=SiCl4)将氢气与四氯化硅高温,生成单晶硅。
二氧化硅可以先用浓盐酸溶液反应生成SiCl4液体,然后在与氢气反应生成单晶硅和HCL,依此重复次项操作,可以提纯硅到99。
如何制备单质硅,反应方程式
工业制备硅的主要方法是通过炼硅炉(电石炉)法,其化学方程式如下:SiO2 + 2C → Si + 2CO 在这个反应中,二氧化硅(SiO2)与碳(C)在高温下发生还原反应,生成纯净的硅(Si)和一氧化碳(CO)。
第一种。SiO2 + 2C = Si + 2CO↑ Si + 2Cl2 = SiCl4 SiCl4 + 2H2 = Si +HCl 条件都是高温 第二种.将细砂粉(SIO2)与镁粉混和,制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和 硅化镁 ,可用盐酸除去。
高纯硅的制备化学方程式:SiO2+C=Si+2CO,Si+2Cl2=SiCl4,SiCl4+2H2=Si+4HCl,反应条件都是:高温。高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。
工业上常用还原石英砂的方法来制取单质硅,一般在高温下利用强还原剂去还原SiO2来得到单质硅。如:SiO2+2C Si+2CO↑。
二氧化硅可以先用浓盐酸溶液反应生成SiCl4液体,然后在与氢气反应生成单晶硅和HCL,依此重复次项操作,可以提纯硅到99。
℃的热硅棒上用氢气还原高纯的三氯氢硅制得。超纯的单晶硅可通过直拉法或区域熔炼法等制备。实验室里可用镁粉在赤热下还原粉状二氧化硅,用稀酸洗去生成的氧化镁和镁粉,再用氢氟酸洗去未作用的二氧化硅,即得单质硅。
如何用二氧化硅制备单晶硅?
1、因此需要将氧元素从二氧化硅中分离出来,换句话说就是要将硅还原出来,采用的方法是将二氧化硅和碳元素(可以用煤、焦炭和木屑等)一起在电弧炉中加热至2100°C左右,这时碳就会将硅还原出来。
2、第一种。SiO2 + 2C = Si + 2CO↑ Si + 2Cl2 = SiCl4 SiCl4 + 2H2 = Si +HCl 条件都是高温 第二种.将细砂粉(SIO2)与镁粉混和,制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和硅化镁,可用盐酸除去。
3、石英砂的主要成分为二氧化硅,其制备单晶硅的过程如下:SiO2+2C=高温=Si(粗硅)+2CO↑ Si(粗)+2Cl2=高温=SiCl4 SiCl4+2H2=高温=Si(纯硅)+4HCl 希望我的答案能对你有帮助,请采纳。
4、高纯的半导体硅可在1,200℃的热硅棒上用氢气还原高纯的三氯氢硅制得。超纯的单晶硅可通过直拉法或区域熔炼法等制备。
5、单晶硅是单质,需要通过化学反应从二氧化硅中得到的多晶硅,然后对多晶硅纯化,在结晶炉中结晶长大得到的单晶硅。你说的“在氧化层上长一层单晶硅”是不现实的。
怎样制得硅单质
先与焦炭在高温下反应生成粗硅。粗硅与氯气反应生成四氯化硅。蒸馏分离得到纯净的四氯化硅。最后四氯化硅被氢气还原成硅单质。
将细砂粉(SIO2)与镁粉混和,制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和硅化镁,可用盐酸除去。
工业上常用还原石英砂的方法来制取单质硅,一般在高温下利用强还原剂去还原SiO2来得到单质硅。如:SiO2+2C Si+2CO↑。
工业制取单质硅的方法
1、工业制备硅的主要方法是通过炼硅炉(电石炉)法,其化学方程式如下:SiO2 + 2C → Si + 2CO 在这个反应中,二氧化硅(SiO2)与碳(C)在高温下发生还原反应,生成纯净的硅(Si)和一氧化碳(CO)。
2、工业制取硅主要通过冶炼石英矿石来获得。石英矿石主要成分是二氧化硅(SiO2),通过高温还原可以获得纯度较高的硅。
3、工业上常用还原石英砂的方法来制取单质硅,一般在高温下利用强还原剂去还原SiO2来得到单质硅。如:SiO2+2C Si+2CO↑。
4、工业上常用还原石英砂的方法来制取单质硅,一般在高温下利用强还原剂去还原SiO 2 来得到单质硅。如:SiO 2 +2C Si+2CO↑。
到此,以上就是小编对于硅单质制取过程是什么的问题就介绍到这了,希望介绍的几点解答对大家有用,有任何问题和不懂的,欢迎各位老师在评论区讨论,给我留言。